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赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #2]
- メーカー名
- アドバンス理工株式会社
- 型番
- RTP-6
- 仕様
- 加熱方式：放物面反射赤外線ランプによる上部片面加熱方式
プロセス温度：1100℃以下
昇温速度：10℃/秒以下
プロセスガス：Ar, N2, Ar;H2(3%)
試料サイズ：最大φ6インチ
- 料金案内
- NOF利用料金表
- 問い合わせ先部署
- 微細加工ユニット
赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #3]
- メーカー名
- アドバンス理工株式会社
- 型番
- RTP-6
- 仕様
- 加熱方式：放物面反射赤外線ランプによる上部片面加熱方式
プロセス温度：1100℃以下
昇温速度：10℃/秒以下
プロセスガス：O2, N2, Ar+H2(3%)
試料サイズ：最大φ6インチ
- 料金案内
- NOF利用料金表
- 問い合わせ先部署
- 微細加工ユニット
ダイシングソー [DAD322]
- メーカー名
- ディスコ
- 型番
- DAD322
- 仕様
- ・切削刃 ダイヤモンドブレード
・切削範囲 XY：162mm以下
・スピンドル回転数 3000-40000rpm
・顕微鏡 モニタ上倍率27倍／270倍電動切替
・試料サイズ 最大φ6インチ
- 料金案内
- NOF利用料金表
- 問い合わせ先部署
- 微細加工ユニット
ダイシングソー [DAD3220]
- メーカー名
- ディスコ
- 型番
- DAD-3220
- 仕様
- ・ブレード種：Si用及びAl2O3切断用ブレード
・ウェハサイズ：最大φ6インチ
・切断位置決め精度：5μm以内（CCDカメラによる位置指定）
- 料金案内
- NOF利用料金表
- 問い合わせ先部署
- 微細加工ユニット
微細組織三次元マルチスケール解析装置（SMF-1000）
- メーカー名
- (株)日立ハイテクサイエンス
- 型番
- SMF-1000
- 仕様
- ・トリプルビーム（FIB-SEM-Arイオン）装置
・FIBは最高1nmピッチで制御可能
・加工と観察を繰り返すことで3D像再構築が可能
- 料金案内
- NOF利用料金表
- 問い合わせ先部署
- 電子顕微鏡ユニット
TEM試料自動作製FIB-SEM複合装置(Ethos NX5000)
- メーカー名
- 株式会社日立ハイテク
- 型番
- Ethos NX5000
- 仕様
- 1. FIB: Ga液体金属イオン源、加速電圧0.5－30kV、分解能4nm (30kV)、最大ビーム電流100nA
2. SEM: 冷陰極電界放射型電子銃、加速電圧0.1－30kV、分解能0.7nm (15kV)、最大ビーム電流10nA
3. 低加速Arイオンビーム：加速電圧0.5－2kV、最大ビーム電流20nA
- 料金案内
- NOF利用料金表
- 問い合わせ先部署
- 電子顕微鏡ユニット
FIB加工装置（JEM-9310FIB）
- メーカー名
- 日本電子(株)
- 型番
- JEM-9310FIB
- 仕様
- ・加速電圧：30kV
・分解能：8nm
- 料金案内
- NOF利用料金表
- 問い合わせ先部署
- 電子顕微鏡ユニット
FIB加工装置（JEM-9320FIB）
- メーカー名
- 日本電子(株)
- 型番
- JEM-9320FIB
- 仕様
- ・加速電圧：30kV
・分解能：6nm
- 料金案内
- NOF利用料金表
- 問い合わせ先部署
- 電子顕微鏡ユニット
FIB/SEM精密微細加工装置（Helios 650）
- メーカー名
- 日本エフイー・アイ株式会社 FEI Company Japan Ltd.
- 型番
- Helios 650
- 仕様
- 1. SIM像分解能5nm（@30kV）、最大電流65nA
2. SEM像分解能1.5nm（@1kV）、最大電流26nA
3. E-beam: 350V～30 kV、I-Beam: : 500V～30 kV
4. 試料ステージ: XY150 mm、Z10 mm、T: -9°～+57°、R: 360°
5. Ptデポ
6. サンプルリフトアウトシステム
【特徴】1.集束イオンビーム(FIB)加工が可能 2.走査型電子顕微鏡(SEM)観察が可能 3.カラム内で加工薄片をリフトアウト（マイクロサンプリング)可能,【備考】機器利用は利用前に講習が必要
- 料金案内
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- 電子顕微鏡ユニット
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