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触針式プロファイラー [Dektak XT-A #2]

メーカー名
ブルカー
型番
Dektak XT-A
仕様
【性能・仕様】
・分解能:1Å(6.5μmレンジ)
・走査距離:55mm
・触圧範囲:0.03-15mg
・試料サイズ:最大φ8インチ
・その他:自動ステージ、3Dマップ・粗さ・ストレス測定、等
【特徴】
・触針による表面形状計測
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マスクレス露光装置 [DL-1000]

メーカー名
ナノシステムソリューションズ
型番
DL-1000
仕様
・光源 405nm半導体レーザー(h線)
・照度 300mW/cm2
・位置決め精度 ±1um以下
・重ね合わせ精度 ±1um以下
・試料サイズ 最大4インチ角
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水蒸気プラズマ洗浄装置 [AQ-500 #2]

メーカー名
サムコ
型番
AQ-500
仕様
・高周波出力:50-250W
・反応ガス:H2O, O2
・自動運転プログラム
・試料サイズ:最大φ8インチ
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スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #2]

メーカー名
芝浦メカトロニクス
型番
CFS-4EP-LL
仕様
・電源:DC×2、RF×1
・基板サイズ:最大6inchφ
・プロセスガス:Ar、O2、N2
・基板加熱:設定300℃
・逆スパッタ可
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原子層堆積装置 [SUNALE R-150]

メーカー名
アルテック(株)/Picosun
型番
SUNALE R-150 ALD
仕様
・原料ソース:3源
・基板サイズ:最大6inchφ
・基板温度:室温~300℃
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CCP-RIE装置 [RIE-200NL]

メーカー名
サムコ
型番
RIE-200NL
仕様
・プラズマ励起方式 平行平板型
・電源出力 最大300W
・プロセスガス CHF3,CF4,SF6,Ar,O2,N2
・試料ステージ温度 室温
・試料サイズ 最大φ8インチ
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ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]

メーカー名
サムコ
型番
RIE-101iPH
仕様
・プラズマ励起方式 誘導結合型
・電源出力 ICP出力:最大1kW/バイアス出力:最大300W
・プロセスガス Cl2,BCl3,Ar,O2,N2
・試料ステージ温度 200度以下
・試料サイズ 最大φ4インチ
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ICP-RIE装置 [CE300I]

メーカー名
(株)アルバック
型番
CE300I
仕様
・エッチングガス:Ar、O2、SF6、Cl2、 BCl3、{CF4、CHF3、C4F8のうち一つ}
・圧力:0.07~13.3 Pa
・プラズマ電力:最大1kW
・バイアス電力:最大300W
・基板寸法:最大152 mmφ
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シリコンDRIE装置 [ASE-SRE]

メーカー名
住友精密工業
型番
MUC-21 ASE-SRE
仕様
・プラズマ励起方式 誘導結合型
・電源出力 ICP出力:最大1kW/バイアス出力:最大100W
・プロセスガス SF6,C4F8,Ar,O2
・試料ステージ温度 室温
・試料サイズ 最大φ3インチ
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ダイシングソー [DAD3220]

メーカー名
ディスコ
型番
DAD-3220
仕様
・ブレード種:Si用及びAl2O3切断用ブレード
・ウェハサイズ:最大φ6インチ
・切断位置決め精度:5μm以内(CCDカメラによる位置指定)
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"並木(つくば)"で検索した結果  38件

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