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電子銃型蒸着装置 [ADS-E86]
- メーカー名
- 株式会社アールデック
- 型番
- ADS-E86
- 仕様
- 蒸着方式：電子銃型
ターゲット：Ti, Cr, Au, Al, Ni, Pt, 他
到達真空度：10-5Pa台
TS間距離：500mm
試料サイズ：最大φ8インチ
その他：ロードロック式自動蒸着、水冷式資料ステージ
- 機器利用単価
- 大学・公的機関・スタートアップ企業3,300円/時間
- 中小企業5,500円/時間
- 大企業11,000円/時間
- 問い合わせ先部署
- 微細加工ユニット
原子層堆積装置 [SUNALE R-150]
- メーカー名
- アルテック(株)/Picosun
- 型番
- SUNALE R-150 ALD
- 仕様
- ・原料ソース：3源
・基板サイズ：最大6inchφ
・基板温度：室温～300℃
- 機器利用単価
- 大学・公的機関・スタートアップ企業3,300円/時間
- 中小企業5,500円/時間
- 大企業11,000円/時間
- 問い合わせ先部署
- 微細加工ユニット
原子層堆積装置 [AD-230LP]
- メーカー名
- サムコ株式会社
- 型番
- AD-230LP
- 仕様
- 成膜方式：Thermal ALD, Plasma ALD
原料：TMA, TDMAT, BDEAS, 他
酸化膜：H2O, O3, O2
窒化膜：N2, NH3
試料サイズ：最大φ8インチ
その他：ロードロック式
- 機器利用単価
- 大学・公的機関・スタートアップ企業3,300円/時間
- 中小企業5,500円/時間
- 大企業11,000円/時間
- 問い合わせ先部署
- 微細加工ユニット
SiO2プラズマCVD装置 [PD-220NL]
- メーカー名
- サムコ株式会社
- 型番
- PD-220NL
- 仕様
- ・プラズマ方式：平行平板型
・電源出力：30-300W
・原料：TEOS (SiO2)
・成膜温度：400度以下
・試料サイズ：最大φ8インチ
- 機器利用単価
- 大学・公的機関・スタートアップ企業3,300円/時間
- 中小企業5,500円/時間
- 大企業11,000円/時間
- 問い合わせ先部署
- 微細加工ユニット
SiNプラズマCVD装置 [PD-220NL]
- メーカー名
- サムコ
- 型番
- PD-220NL
- 仕様
- ・プラズマ方式 平行平板型
・電源出力 30-300W
・原料：TEOS (SiO2), SN-2 (SiN)
・成膜温度 400度以下
・試料サイズ 最大φ8インチ
- 機器利用単価
- 大学・公的機関・スタートアップ企業3,300円/時間
- 中小企業5,500円/時間
- 大企業11,000円/時間
- 問い合わせ先部署
- 微細加工ユニット
CCP-RIE装置 [RIE-200NL]
- メーカー名
- サムコ
- 型番
- RIE-200NL
- 仕様
- ・プラズマ励起方式 平行平板型
・電源出力 最大300W
・プロセスガス CHF3，CF4，SF6，Ar，O2，N2
・試料ステージ温度 室温
・試料サイズ 最大φ8インチ
- 機器利用単価
- 大学・公的機関・スタートアップ企業3,300円/時間
- 中小企業5,500円/時間
- 大企業11,000円/時間
- 問い合わせ先部署
- 微細加工ユニット
ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]
- メーカー名
- サムコ
- 型番
- RIE-101iPH
- 仕様
- ・プラズマ励起方式 誘導結合型
・電源出力 ICP出力：最大1kW／バイアス出力：最大300W
・プロセスガス Cl2，BCl3，Ar，O2，N2
・試料ステージ温度 200度以下
・試料サイズ 最大φ4インチ
- 機器利用単価
- 大学・公的機関・スタートアップ企業3,300円/時間
- 中小企業5,500円/時間
- 大企業11,000円/時間
- 問い合わせ先部署
- 微細加工ユニット
ICP-RIE装置 [RV-APS-SE]
- メーカー名
- 住友精密工業
- 型番
- MUC-21 RV-APS-SE
- 仕様
- ・プラズマ励起方式 誘導結合型
・電源出力 ICP出力：最大3kW／バイアス出力：最大1kW
・プロセスガス：CHF3，CF4，C4F8，SF6，Ar，O2，He
・試料ステージ温度 -10～+40度
・試料サイズ 最大φ4インチ
・その他 SiO2エッチングレート：0.5um/min以上，終点検出機能装備
- 機器利用単価
- 大学・公的機関・スタートアップ企業6,600円/時間
- 中小企業11,000円/時間
- 大企業22,000円/時間
- 問い合わせ先部署
- 微細加工ユニット
ICP-RIE装置 [CE300I]
- メーカー名
- (株)アルバック
- 型番
- CE300I
- 仕様
- ・エッチングガス：Ar、O2、SF6、Cl2、 BCl3、｛CF4、CHF3、C4F8のうち一つ｝
・圧力：0.07～13.3 Pa
・プラズマ電力：最大1kW
・バイアス電力：最大300W
・基板寸法：最大152 mmφ
- 機器利用単価
- 大学・公的機関・スタートアップ企業3,300円/時間
- 中小企業5,500円/時間
- 大企業11,000円/時間
- 問い合わせ先部署
- 微細加工ユニット
シリコンDRIE装置 [ASE-SRE]
- メーカー名
- 住友精密工業
- 型番
- MUC-21 ASE-SRE
- 仕様
- ・プラズマ励起方式 誘導結合型
・電源出力 ICP出力：最大1kW／バイアス出力：最大100W
・プロセスガス SF6，C4F8，Ar，O2
・試料ステージ温度 室温
・試料サイズ 最大φ3インチ
- 機器利用単価
- 大学・公的機関・スタートアップ企業3,300円/時間
- 中小企業5,500円/時間
- 大企業11,000円/時間
- 問い合わせ先部署
- 微細加工ユニット
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