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共用設備

共用設備検索結果

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微細組織三次元マルチスケール解析装置

メーカー名
(株)日立ハイテクサイエンス
型番
SMF-1000
仕様
・トリプルビーム(FIB-SEM-Arイオン)装置
・FIBは最高1nmピッチで制御可能
・加工と観察を繰り返すことで3D像再構築が可能
機器利用単価
大学・公的機関9,000円/時間
中小企業15,000円/時間
大企業30,000円/時間
問い合わせ先部署
電子顕微鏡ユニット

TEM試料作製用集束イオンビーム加工装置

メーカー名
サーモフィッシャー
型番
ThermoFisher Scios2
仕様
FIBによるTEM試料作製
FIB-SEMシリアルセクショニング, 3D-EDS, 3D-EBSD
機器利用単価
大学・公的機関9,000円/時間
中小企業15,000円/時間
大企業30,000円/時間
問い合わせ先部署
電子顕微鏡ユニット

TEM試料自動作製FIB-SEM複合装置

メーカー名
株式会社日立ハイテク
型番
Ethos NX5000
仕様
1. FIB: Ga液体金属イオン源、加速電圧0.5-30kV、分解能4nm (30kV)、最大ビーム電流100nA
2. SEM: 冷陰極電界放射型電子銃、加速電圧0.1-30kV、分解能0.7nm (15kV)、最大ビーム電流10nA
3. 低加速Arイオンビーム:加速電圧0.5-2kV、最大ビーム電流20nA
機器利用単価
大学・公的機関9,000円/時間
中小企業15,000円/時間
大企業30,000円/時間
問い合わせ先部署
電子顕微鏡ユニット

FIB加工装置(JIB-4000)

メーカー名
日本電子(株)
型番
JIB-4000
仕様
・加速電圧:30kV
・分解能:5nm
機器利用単価
大学・公的機関3,000円/時間
中小企業5,000円/時間
大企業10,000円/時間
問い合わせ先部署
電子顕微鏡ユニット

FIB加工装置(JEM-9310FIB)

メーカー名
日本電子(株)
型番
JEM-9310FIB
仕様
・加速電圧:30kV
・分解能:8nm
機器利用単価
大学・公的機関3,000円/時間
中小企業5,000円/時間
大企業10,000円/時間
問い合わせ先部署
電子顕微鏡ユニット

FIB加工装置(JEM-9320FIB)

メーカー名
日本電子(株)
型番
JEM-9320FIB
仕様
・加速電圧:30kV
・分解能:6nm
機器利用単価
大学・公的機関3,000円/時間
中小企業5,000円/時間
大企業10,000円/時間
問い合わせ先部署
電子顕微鏡ユニット

FIB/SEM精密微細加工装置

メーカー名
日本エフイー・アイ株式会社 FEI Company Japan Ltd.
型番
Helios 650
仕様
1. SIM像分解能5nm(@30kV)、最大電流65nA
2. SEM像分解能1.5nm(@1kV)、最大電流26nA
3. E-beam: 350V~30 kV、I-Beam: : 500V~30 kV
4. 試料ステージ: XY150 mm、Z10 mm、T: -9°~+57°、R: 360°
5. Ptデポ
6. サンプルリフトアウトシステム

【特徴】1.集束イオンビーム(FIB)加工が可能 2.走査型電子顕微鏡(SEM)観察が可能 3.カラム内で加工薄片をリフトアウト(マイクロサンプリング)可能,【備考】機器利用は利用前に講習が必要
機器利用単価
大学・公的機関6,000円/時間
中小企業10,000円/時間
大企業20,000円/時間
問い合わせ先部署
電子顕微鏡ユニット

デュアルビーム加工観察装置(NB5000)

メーカー名
(株)日立ハイテクノロジーズ
型番
NB5000
仕様
・FIB :Acc.Volt. 1~40 kV, max.current 50 nA
・SEM :Acc. Volt. 0.5~30 kV, resolution 1 nm@15kV
機器利用単価
大学・公的機関9,000円/時間
中小企業15,000円/時間
大企業30,000円/時間
問い合わせ先部署
電子顕微鏡ユニット

清浄表面組織観察FIB-SEM装置

メーカー名
カールツァイス
型番
ZEISS AurigaLaser
仕様
金属・セラミクス試料の分析・方位マップ取得。
多彩な検出器による組織情報の抽出。
機器利用単価
大学・公的機関12,000円/時間
中小企業20,000円/時間
大企業40,000円/時間
問い合わせ先部署
電子顕微鏡ユニット

極低加速電圧電界放出形走査電子顕微鏡(SU8000)

メーカー名
(株)日立ハイテクノロジーズ
型番
SU8000
仕様
・冷陰極電界放出形電子銃
・対物レンズ:セミインレンズ型
・加速電圧:0.5~30 kV
・二次電子像分解能:1.0 nm(加速電圧15 kV)、 2.0 nm(加速電圧1 kV)、 リターディングモード:1.4 nm(照射電圧1 kV)
・リターディングモード 照射電圧:100 V~2.0 kV(加速電圧:500 V~3.0 kV)
・倍率:20~2千倍(低倍率モード)、80~80万倍(高倍率モード)
・最大試料サイズ:φ100 mm
・反射電子検出器搭載
・透過電子信号(BF、擬似DF)検出
・EDS付属(Bluker FlatQUAD)
 エネルギー分解能:129 eV以下
 検出可能元素:B~U
機器利用単価
大学・公的機関6,000円/時間
中小企業10,000円/時間
大企業20,000円/時間
問い合わせ先部署
表面・バルク分析ユニット
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