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UVオゾンクリーナー [UV-1]

メーカー名
サムコ
型番
UV-1
仕様
・光源:紫外線ランプ(184.9nm&253.7nm)
・ステージ温度:室温~300℃
・試料サイズ:最大φ8インチ
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微細加工ユニット

スパッタ装置 [JSP-8000]

メーカー名
(株)アルバック
型番
J sputter
仕様
・スパッタ方式 DC/RFマグネトロンスパッタ,反応性/3元同時/逆スパッタ可能
・電源出力 最大500W
・カソード φ4インチ×4式
・プロセスガス Ar,O2,N2
・試料サイズ 最大φ6インチ:試料ステージ水冷/加熱可 (最大300度)
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微細加工ユニット

スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #3]

メーカー名
芝浦メカトロニクス
型番
CFS-4EP-LL
仕様
・スパッタ方式:DC/RFマグネトロンスパッタ,反応性/2元同時/逆スパッタ/バイアススパッタ可能
・電源出力:最大500W
・カソード:φ3インチ×4式
・プロセスガス:Ar,O2,N2
・試料サイズ:最大φ8インチ(水冷ステージ)
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微細加工ユニット

電子銃型蒸着装置 [RDEB-1206K]

メーカー名
アールデック
型番
RDEB-1206K
仕様
・蒸着方式 電子銃型×1式
・到達真空度 1.0e-5 Pa
・TS間距離 500mm
・試料サイズ 最大φ6インチ
・その他 水冷式試料ステージ
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電子銃型蒸着装置 [ADS-E86]

メーカー名
株式会社アールデック
型番
ADS-E86
仕様
蒸着方式:電子銃型
ターゲット:Ti, Cr, Au, Al, Ni, Pt, 他
到達真空度:10-5Pa台
TS間距離:500mm
試料サイズ:最大φ8インチ
その他:ロードロック式自動蒸着、水冷式資料ステージ
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原子層堆積装置 [AD-230LP]

メーカー名
サムコ株式会社
型番
AD-230LP
仕様
成膜方式:Thermal ALD, Plasma ALD
原料:TMA, TDMAT, BDEAS, 他
酸化膜:H2O, O3, O2
窒化膜:N2, NH3
試料サイズ:最大φ8インチ
その他:ロードロック式
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SiO2プラズマCVD装置 [PD-220NL]

メーカー名
サムコ株式会社
型番
PD-220NL
仕様
・プラズマ方式:平行平板型
・電源出力:30-300W
・原料:TEOS (SiO2)
・成膜温度:400度以下
・試料サイズ:最大φ8インチ
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微細加工ユニット

SiNプラズマCVD装置 [PD-220NL]

メーカー名
サムコ
型番
PD-220NL
仕様
・プラズマ方式 平行平板型
・電源出力 30-300W
・原料:TEOS (SiO2), SN-2 (SiN)
・成膜温度 400度以下
・試料サイズ 最大φ8インチ
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ICP-RIE装置 [RV-APS-SE]

メーカー名
住友精密工業
型番
MUC-21 RV-APS-SE
仕様
・プラズマ励起方式 誘導結合型
・電源出力 ICP出力:最大3kW/バイアス出力:最大1kW
・プロセスガス:CHF3,CF4,C4F8,SF6,Ar,O2,He
・試料ステージ温度 -10~+40度 
・試料サイズ 最大φ4インチ
・その他 SiO2エッチングレート:0.5um/min以上,終点検出機能装備
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原子層エッチング装置 [PlasmaPro 100 ALE]

メーカー名
オックスフォード・インストゥルメンツ
型番
PlasmaPro 100 Cobra 300 ALE
仕様
・プラズマ励起方式:誘導結合型
・電源出力:ICP出力 最大3kW/バイアス出力 最大300W
・プロセスガス:CL2, BCL3, SF6, Ar, N2, O2
・試料ステージ温度:-30~80℃
・試料サイズ:最大φ6インチ
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微細加工ユニット

"千現(つくば)"で検索した結果  164件

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