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SiO2プラズマCVD装置 [PD-220NL]

メーカー名
サムコ株式会社
型番
PD-220NL
仕様
・プラズマ方式:平行平板型
・電源出力:30-300W
・原料:TEOS (SiO2)
・成膜温度:400度以下
・試料サイズ:最大φ8インチ
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NOF利用料金表
問い合わせ先部署
微細加工ユニット

SiNプラズマCVD装置 [PD-220NL]

メーカー名
サムコ
型番
PD-220NL
仕様
・プラズマ方式 平行平板型
・電源出力 30-300W
・原料:TEOS (SiO2), SN-2 (SiN)
・成膜温度 400度以下
・試料サイズ 最大φ8インチ
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問い合わせ先部署
微細加工ユニット

ICP-RIE装置 [RV-APS-SE]

メーカー名
住友精密工業
型番
MUC-21 RV-APS-SE
仕様
・プラズマ励起方式 誘導結合型
・電源出力 ICP出力:最大3kW/バイアス出力:最大1kW
・プロセスガス:CHF3,CF4,C4F8,SF6,Ar,O2,He
・試料ステージ温度 -10~+40度 
・試料サイズ 最大φ4インチ
・その他 SiO2エッチングレート:0.5um/min以上,終点検出機能装備
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微細加工ユニット

原子層エッチング装置 [PlasmaPro 100 ALE]

メーカー名
オックスフォード・インストゥルメンツ
型番
PlasmaPro 100 Cobra 300 ALE
仕様
・プラズマ励起方式:誘導結合型
・電源出力:ICP出力 最大3kW/バイアス出力 最大300W
・プロセスガス:CL2, BCL3, SF6, Ar, N2, O2
・試料ステージ温度:-30~80℃
・試料サイズ:最大φ6インチ
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微細加工ユニット

赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #2]

メーカー名
アドバンス理工株式会社
型番
RTP-6
仕様
加熱方式:放物面反射赤外線ランプによる上部片面加熱方式
プロセス温度:1100℃以下
昇温速度:10℃/秒以下
プロセスガス:Ar, N2, Ar;H2(3%)
試料サイズ:最大φ6インチ
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微細加工ユニット

赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #3]

メーカー名
アドバンス理工株式会社
型番
RTP-6
仕様
加熱方式:放物面反射赤外線ランプによる上部片面加熱方式
プロセス温度:1100℃以下
昇温速度:10℃/秒以下
プロセスガス:O2, N2, Ar+H2(3%)
試料サイズ:最大φ6インチ
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微細加工ユニット

ダイシングソー [DAD322]

メーカー名
ディスコ
型番
DAD322
仕様
・切削刃 ダイヤモンドブレード
・切削範囲 XY:162mm以下
・スピンドル回転数 3000-40000rpm
・顕微鏡 モニタ上倍率27倍/270倍電動切替
・試料サイズ 最大φ6インチ
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微細加工ユニット

鍛造設備(油圧プレス)

メーカー名
川崎油工
型番
HFP2-300
仕様
・最大荷重:300ton
・アンビル:480×220×470mm
・加圧速度:高速 40mm/s:低速 22mm/s
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材料溶解創製ユニット

70ton大型スウェージングマシーン

メーカー名
日本クロス圧延
型番
15HP-DH4
仕様
・最大荷重:70ton
・寸法範囲:35 mmφ→6 mmφ
・熱間・冷間加工可能
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材料溶解創製ユニット

18ton小型スウェージングマシーン

メーカー名
日本クロス圧延
型番
USD-6000
仕様
・最大荷重:18ton
・寸法範囲:10 mmφ→0.35 mmφ
・冷間加工専用
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問い合わせ先部署
材料溶解創製ユニット

"千現(つくば)"で検索した結果  167件

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