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電子銃型蒸着装置 [ADS-E86]

メーカー名
株式会社アールデック
型番
ADS-E86
仕様
蒸着方式:電子銃型
ターゲット:Ti, Cr, Au, Al, Ni, Pt, 他
到達真空度:10-5Pa台
TS間距離:500mm
試料サイズ:最大φ8インチ
その他:ロードロック式自動蒸着、水冷式資料ステージ
機器利用単価
大学・公的機関・スタートアップ企業3,300円/時間
中小企業5,500円/時間
大企業11,000円/時間
問い合わせ先部署
微細加工ユニット

電子銃型蒸着装置 [MB-501010]

メーカー名
エイコーエンジニアリング
型番
仕様
・蒸発源:材料ハース10個
・T-S距離:700mm
・基板サイズ:最大φ6インチ
機器利用単価
大学・公的機関・スタートアップ企業3,300円/時間
中小企業5,500円/時間
大企業11,000円/時間
問い合わせ先部署
微細加工ユニット

原子層堆積装置 [SUNALE R-150]

メーカー名
アルテック(株)/Picosun
型番
SUNALE R-150 ALD
仕様
・原料ソース:3源
・基板サイズ:最大6inchφ
・基板温度:室温~300℃
機器利用単価
大学・公的機関・スタートアップ企業3,300円/時間
中小企業5,500円/時間
大企業11,000円/時間
問い合わせ先部署
微細加工ユニット

原子層堆積装置 [AD-230LP]

メーカー名
サムコ株式会社
型番
AD-230LP
仕様
成膜方式:Thermal ALD, Plasma ALD
原料:TMA, TDMAT, BDEAS, 他
酸化膜:H2O, O3, O2
窒化膜:N2, NH3
試料サイズ:最大φ8インチ
その他:ロードロック式
機器利用単価
大学・公的機関・スタートアップ企業3,300円/時間
中小企業5,500円/時間
大企業11,000円/時間
問い合わせ先部署
微細加工ユニット

SiO2プラズマCVD装置 [PD-220NL]

メーカー名
サムコ株式会社
型番
PD-220NL
仕様
・プラズマ方式:平行平板型
・電源出力:30-300W
・原料:TEOS (SiO2)
・成膜温度:400度以下
・試料サイズ:最大φ8インチ
機器利用単価
大学・公的機関・スタートアップ企業3,300円/時間
中小企業5,500円/時間
大企業11,000円/時間
問い合わせ先部署
微細加工ユニット

SiNプラズマCVD装置 [PD-220NL]

メーカー名
サムコ
型番
PD-220NL
仕様
・プラズマ方式 平行平板型
・電源出力 30-300W
・原料:TEOS (SiO2), SN-2 (SiN)
・成膜温度 400度以下
・試料サイズ 最大φ8インチ
機器利用単価
大学・公的機関・スタートアップ企業3,300円/時間
中小企業5,500円/時間
大企業11,000円/時間
問い合わせ先部署
微細加工ユニット

リフトオフ装置 [KLO-150CBU]

メーカー名
カナメックス
型番
KLO-150CBU
仕様
・レジスト膨潤 80℃ NMP溶液
・レジスト剥離 高圧ジェットNMP溶液
・リンス IPA, 純水
・乾燥 スピン乾燥、N2ブロー
・試料サイズ 最大φ6インチ
機器利用単価
大学・公的機関・スタートアップ企業3,300円/時間
中小企業5,500円/時間
大企業11,000円/時間
問い合わせ先部署
微細加工ユニット

CCP-RIE装置 [RIE-200NL]

メーカー名
サムコ
型番
RIE-200NL
仕様
・プラズマ励起方式 平行平板型
・電源出力 最大300W
・プロセスガス CHF3,CF4,SF6,Ar,O2,N2
・試料ステージ温度 室温
・試料サイズ 最大φ8インチ
機器利用単価
大学・公的機関・スタートアップ企業3,300円/時間
中小企業5,500円/時間
大企業11,000円/時間
問い合わせ先部署
微細加工ユニット

ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]

メーカー名
サムコ
型番
RIE-101iPH
仕様
・プラズマ励起方式 誘導結合型
・電源出力 ICP出力:最大1kW/バイアス出力:最大300W
・プロセスガス Cl2,BCl3,Ar,O2,N2
・試料ステージ温度 200度以下
・試料サイズ 最大φ3インチ
機器利用単価
大学・公的機関・スタートアップ企業3,300円/時間
中小企業5,500円/時間
大企業11,000円/時間
問い合わせ先部署
微細加工ユニット

ICP-RIE装置 [RV-APS-SE]

メーカー名
住友精密工業
型番
MUC-21 RV-APS-SE
仕様
・プラズマ励起方式 誘導結合型
・電源出力 ICP出力:最大3kW/バイアス出力:最大1kW
・プロセスガス:CHF3,CF4,C4F8,SF6,Ar,O2,He
・試料ステージ温度 -10~+40度 
・試料サイズ 最大φ6インチ
・その他 SiO2エッチングレート:0.5um/min以上,終点検出機能装備
機器利用単価
大学・公的機関・スタートアップ企業6,600円/時間
中小企業11,000円/時間
大企業22,000円/時間
問い合わせ先部署
微細加工ユニット

"微細加工ユニット"で検索した結果  61件

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