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フィールドエミッション電子プローブマイクロアナライザー(JXA-iHP200F)

メーカー名
日本電子株式会社
型番
JXA-iHP200F
仕様
【性能・仕様】
1.電子銃:電界放出形
2.加速電圧1~30 kV
3.照射電10 pA-3 μA
4.測定可能元素:B-U
5.最大試料サイズ:100 x 100 x 50 mm
6.オートローダー機能
【特徴】
1.波長分散型検出器5基搭載
  (分析可能元素:B-U )
2.エネルギー分散型検出器
  (分析可能元素:B-U )
3.分光結晶:14個搭載
4.アンチコンタミネーション設備
  (O2ジェット搭載)
5。アンチコンタミネーション設備
  (エバクトロン搭載)
6.任意の質量吸収係数を使用したオフ
  ライン定量分析が可能
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NOF利用料金表
問い合わせ先部署
表面・バルク分析ユニット

レーザ元素分析デジタルマイクロスコープ

メーカー名
株式会社キーエンス
型番
EA300
仕様
【性能・仕様】
・レーザ:Nd:YAGレーザ(クラス1)
・レーザ波長:355 nm
・レーザスポット径:10 µm
・観察倍率:300~1000倍
【特徴】
・大気条件下における高速測定
・Nd:YAGレーザ(レーザクラス1)を使用しデジタルマイクロスコープと併用してサンプルを測定可能
・広帯域(深紫外線~近赤外線)の発光線を検出可能
・複数個所を連続して測定可能
・同一箇所の深さ方向を測定可能
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問い合わせ先部署
表面・バルク分析ユニット

イオンビームミリング複合装置 [16IBE-NIMS_SS]

メーカー名
伯東
型番
16IBE-NIMS_SS
仕様
・プラズマ励起方式:直流放電型(カウフマン型)
・イオンビーム電圧:100-1000V
・イオンビーム電流:800mA
・プロセスガス:Ar
・グリッド径:φ16cm
・最大試料サイズ:φ6inch
・その他:RFスパッタ機構装備、SIMS検出器装備
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問い合わせ先部署
微細加工ユニット

蒸気二流体洗浄装置 [SSM101]

メーカー名
HUGパワー
型番
SSM101
仕様
【性能・仕様】
・用途:基板洗浄、リフトオフ
・手法:蒸気二流体超音速噴射
・溶液:純水
・乾燥:スピン乾燥、N2ブロー
・最大試料サイズ:φ6inch
【特徴】
・蒸気二流体による洗浄・リフトオフを行う装置。
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微細加工ユニット

FE-SEM+EDX [JSM-IT800]

メーカー名
日本電子株式会社
型番
JSM-IT800
仕様
【性能・仕様】
・加速電圧:0.01~30kV
・倍率:50~200万倍
・分解能:0.6nm(15kV),1.5nm(1kV)
・検出器:SED, UID
・最大試料サイズ:6インチφ
・EDX:JEOL製EX-74710U1L4Q
【特徴】
・低真空SEM対応
・EB描画パターンデータ読込可能
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微細加工ユニット

触針式プロファイラー [Dektak XT-A #2]

メーカー名
ブルカー
型番
Dektak XT-A
仕様
【性能・仕様】
・分解能:1Å(6.5μmレンジ)
・走査距離:55mm
・触圧範囲:0.03-15mg
・試料サイズ:最大φ8インチ
・その他:自動ステージ、3Dマップ・粗さ・ストレス測定、等
【特徴】
・触針による表面形状計測
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微細加工ユニット

誘導結合プラズマ発光分光分析装置(マルチ型・デュアルビュー、Agilent5800、千現)

メーカー名
アジレント・テクノロジー株式会社(Agilent Technologies Japan, Ltd.)
型番
Agilent5800
仕様
【性能・仕様】
1.プラズマ観測方向;軸方向と横方向に切り替え可能
2.分光器:エシェルクロス分散ポリクロメータ
波長範囲:167~785nm
Ar/N2パージシステム
3.検出器:CCD検出器
4.ICP部
プラズマガス:Ar
周波数:27MHz
RF出力:~1500W
【特徴】
1.多波長同時測定による高速測定(世界最速)
2.測光方向は軸方向及び横方向に切り替え可能で、多波長同時マルチキャリブレーション機能により低濃度溶液から高濃度溶液を希釈なしで測定可能
3.元素の検出下限濃度ppbレベル以下
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表面・バルク分析ユニット

オスミウムコーター(TEM試料作製装置群)

メーカー名
株式会社真空デバイス
型番
HPC-1SW
仕様
・蒸着方式: 2極DCグロー放電スパッタ
・ターゲット: オスミウム
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電子顕微鏡ユニット

電子銃型蒸着装置 [ADS-E810]

メーカー名
アールデック(R-DEC)
型番
ADS-E810
仕様
【性能・仕様】
・蒸着方式:電子銃型
・ターゲット:Al, Ti, Ni, AuGe, Pt, Au, Pd, Ag, Cr, 他
・到達真空度:10-5 Pa
・TS間距離:500 mm
・最大試料サイズ:φ8inch
・その他:ロードロック式、水冷式試料ステージ
【特徴】
・ロードロックによる迅速なプロセス
・最大10種類の材料を積層可能
・レシピによる多層成膜の自動実行
・基板冷却機構
・反射電子トラップ機構

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微細加工ユニット

スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #4]

メーカー名
芝浦メカトロニクス(SHIBAURA MECHATRONICS)
型番
CFS-4EP-LL
仕様
【性能・仕様】
・電源:DC×2、RF×1
・電源出力:500W(最大)
・カソード:φ3インチ×4式
・基板サイズ:最大8inchφ
・プロセスガス:Ar、O2、N2
・基板加熱:設定300℃
・逆スパッタ可
【特徴】
・DC及びRFスパッタ電源を備えていることにより、多様な材料に対応
・O2及びN2ガスの導入による反応性スパッタが可能
・異種ターゲットの同時使用による混合材料の堆積が可能
・レシピによる多層成膜の自動実行
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問い合わせ先部署
微細加工ユニット

"利用可能"で検索した結果  155件

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