ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]
![ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]](data/facility_item/1562902255_2.jpg)
装置名称 | ICP-RIE装置 [RIE-101iPH] |
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メーカー名 | サムコ |
型番 | RIE-101iPH |
用途 | ・微細加工(エッチング) ・化合物半導体・金属薄膜のドライエッチング |
仕様 | ・プラズマ励起方式 誘導結合型 ・電源出力 ICP出力:最大1kW/バイアス出力:最大300W ・プロセスガス Cl2,BCl3,Ar,O2,N2 ・試料ステージ温度 200度以下 ・試料サイズ 最大φ3インチ |
利用時間単位 | 時間(1h) |
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機器利用料金(税抜金額) |
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利用可能形態 |
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マテリアル先端リサーチインフラの利用 | ○ |
問い合わせ先部署 | 微細加工ユニット |
設置場所 | 並⽊地区 MANA 棟(506 室) |
※予約状況につきましては、お問い合わせください。