ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]
![ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]](data/facility_item/1562902255_2.jpg)
| 装置名称 | ICP-RIE装置 [RIE-101iPH] |
|---|---|
| メーカー名 | サムコ |
| 型番 | RIE-101iPH |
| 用途 | ・微細加工（エッチング） ・化合物半導体・金属薄膜のドライエッチング |
| 仕様 | ・プラズマ励起方式 誘導結合型 ・電源出力 ICP出力：最大1kW／バイアス出力：最大300W ・プロセスガス Cl2，BCl3，Ar，O2，N2 ・試料ステージ温度 200度以下 ・試料サイズ 最大φ3インチ |
| 利用時間単位 | 時間（1h） |
|---|---|
| 機器利用料金（税抜金額） |
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| 利用可能形態 |
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| マテリアル先端リサーチインフラの利用 | ○ |
| 問い合わせ先部署 | 微細加工ユニット |
| 設置場所 | 並⽊地区 MANA 棟（506 室） |
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