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共用設備

ICP原子層エッチング装置

ICP原子層エッチング装置
装置名称 ICP原子層エッチング装置
メーカー名 オックスフォード・インストゥルメンツ
型番 PlasmaPro 100 Cobra 300 ALE
用途 1. 半導体材料等の原子層エッチング
2. 金属・半導体材料等のICPエッチング
仕様 ・プラズマ励起方式:誘導結合型
・電源出力:ICP出力 最大3kW/バイアス出力 最大300W
・プロセスガス:CL2, BCL3, SF6, Ar, N2, O2
・試料ステージ温度:-30~80℃
・試料サイズ:最大φ6インチ(オプションで8インチ可)
利用時間単位 時間(1h)
機器利用料金(税抜金額)
  • 大学・公的機関3,000円/時間
  • 中小企業5,000円/時間
  • 大企業10,000円/時間
利用可能形態
  • 機器利用:○
  • 技術指導:○
  • 技術代行:○
マテリアル先端リサーチインフラの利用
問い合わせ先部署 ナノテクノロジー融合ステーション (千現ファウンドリ)
設置場所 千現地区 材料信頼性実験棟 102号室

※予約状況につきましては、お問い合わせください。

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