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赤外線ランプ加熱装置

赤外線ランプ加熱装置
装置名称 赤外線ランプ加熱装置
メーカー名 アドバンス理工株式会社
型番 RTP-6
用途 小片~φ6インチの急速アニール
仕様 加熱方式:放物面反射赤外線ランプによる上部片面加熱方式
プロセス温度:1200℃以下
昇温速度:10℃/秒以下
プロセスガス:Ar, N2, Ar;H2(3%)
試料サイズ:最大φ6インチ
利用時間単位 時間(1h)
機器利用料金(税抜金額)
  • 大学・公的機関3,000円/時間
  • 中小企業5,000円/時間
  • 大企業10,000円/時間
利用可能形態
  • 機器利用:○
  • 技術指導:○
  • 技術代行:○
ナノプラットフォームでの利用 微細加工プラットフォーム
問い合わせ先部署 ナノテクノロジー融合ステーション (千現ファウンドリ/微細加工プラットフォーム)
設置場所 千現地区 材料信頼性実験棟 102号室

※予約状況につきましては、お問い合わせください。

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