低ダメージ精密エッチング装置 [Spica #2]
装置名称 | 低ダメージ精密エッチング装置 [Spica #2] |
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メーカー名 | 住友精密工業(株) |
型番 | Spica |
用途 | GaN等化合物半導体の精密エッチング |
仕様 | プラズマ励起方式:誘導結合型 ICP出力:最大1kW バイアス出力:最大300W プロセスガス:Cl2, SiCl4, SF6, Ar, O2, N2 試料ステージ温度:10℃~30℃ 最大試料サイズ:6インチΦ |
利用時間単位 | 時間(1h) |
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機器利用料金(税抜金額) |
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利用可能形態 |
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マテリアル先端リサーチインフラの利用 | ○ |
問い合わせ先部署 | 微細加工ユニット |
設置場所 | 千現地区 材料信頼性実験棟1F |
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